Natlinear南麟 - LN8363 30V 半桥IPM

南麟LN8363是一款内置高边和低边MOSFET 的驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。
LN8363内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断高边和低边内置MOSFET。
LN8363内建死区自适应功能，可以适应更多应用条件，同时简化设计的繁琐。

产品特点：
电源电压工作范围为4V~15V
内置自举二极管
固定死区时间
内置30V N 沟道MOSFET
兼容3.3V/5V/15V 输入信号
UVLO 时EN 端输出低电平
内建死区自适应功能防止MOSFET交叉导通
EN端可同时关断上下两个MOSFET
VCC, BST 欠压锁死功能
绿色环保无卤，满足ROHS标准

应用领域：
半桥/全桥转换器
同步降压、升降压拓扑
电子烟、无线充MOSFET 驱动器

封装形式：
SOP8

规格书下载链接：     

典型应用电路：